2015年度（平成27年度）

コース名　　物理学コース

領域名　　　量子多体系物理学領域

教員名　　　中山　隆史

電子メール　nakayama理physics.s.chiba-u.ac.jp

　　　　　　※メール送信の際は、「理」を半角@に変更してください。

 

（1)研究論文などのリスト(印刷中を含む)

　　　

著者・発表者等

タイトル

発表雑誌・会合等

巻・号

頁

発行・発表年等

掲載論文のDOI(付与されている場合)
　(1)

H. Iizuka,
T.
Nakayama

Quantum process of
exciton dissociation
at
organic
semiconductor
interfaces; Effects of
interface roughness
and
hot exciton

Jpn. J.
Appl.
Phys.

55

pp.
021601-1-7

2016

http://doi.org/10.7567/JJAP.55.021601
　(2)







　(3)





S. Iizuka, T.
Nakayama





T. Minato,
S. Kajita,
C-L. Pang,
N. Asao, Y.
Yamamoto,
T.
Nakayama,
M. Kawai,
and Y. Kim

First-Principles
Calculation of
Electronic
Properties of
Isoelectronic
Impurity Complexes
in Si



Tunneling Desorption of
Atomic Hydrogen on
the Surface of
Titanium Dioxide

Appl.
Phys.
Express







ACS Nano.

8








9

pp. 081301-1-4








pp. 6837--6842

2015








2015

http://dx.doi.org/10.7567/APEX.8.081301








DOI: 10.1021/acsnano.5b01607

 

（2）卒業研究、大学院修士および博士論文修了指導人数

　　　・卒業研究　　　　　3名

　　　・大学院修士　　　　4名

　　　・大学院博士　　　　2名

 

（3）教育業績（自己申告、テキストの作成など、授業の工夫など）

 なし

 

（4）国際会議出席と招待リスト


・T. Nakayama, H. Iizuka, Y. Masugata, “Quantum processes of exciton dissociation at organic
solar-cell interfaces; Effects ofinterface disorder, hot exciton, and polaron”, ISANN 2015
(Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology), Kona USA., Nov.29-Dec.4, 2015.


・T. Nakayama, “Physics of Metal/Ge Interfaces: Fermi-level Unpinning and Interface
Disorders”, 2015 Energy Materials Nanotechnology Cancun Meeting, Cancun Mexico,
Jun.8-11, 2015. (invited talk)


・M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, N. Mamedov, “First-principles study of
Nanostructure of TlInSe2”, Euro. MRS 2015, Warsaw Univ. Technol., Poland, Sept.14-18,
2015.


・M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, N. Mamedov, “First-principles study ofTlInSe2 and
TlInS2”, Int. Conf. Thermoelectric Materials Science 2015 (TMS2015), Nagoya Japan, Nov.
9-11, 2015.


・S. Iizuka, T. Nakayama, “Chemical Trend of Isoelectronic Traps in Si Tunnel FET;
First-Principles Study”, Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Sapporo Japan,
Sep.27-30, 2015.


・Y. Masugata, T. Nakayama, “Molecular Vibration Effects on Exciton Scattering Processes at
Organic Semiconductor Interfaces”, 15th Int. Conf. Formation of Semiconductor Interfaces
(ICFSI-15), Hiroshima Japan, Nov.15-20, 2015.


（5）国際共同研究　(共同研究名,研究内容等)　

所属

職種

　氏名

　共同研究名

　　　　　　　　　　　　　　研究内容

年度

理学

教授

中山隆史

熱電物質TlInSe2, TlInS2の理論研究

熱電物質TlInSe2, TlInS2の原子･電子構造と熱電発生機構の解明 先方：Prof.N.Mamedov(Inst.Phys., Azerbaijan Nat. Sci. Academy)

27

 

（6）新聞や雑誌等で報道された研究成果等　(報道媒体、報道年月日、報道内容等)

 なし

 

（7）国際並びに国内学会での受賞　(賞名、その内容、受賞理由等)　

 なし

　

（8）地域・社会と連携した教育・研究活動、学会、国、県などへの協力、など　

・千葉大学高等教育機構 高大連携専門部会長
・佐倉高等学校 SSH運営指導委員会委員長
・JST平成27年度スーパーサイエンスハイスクール生徒研究発表会(全国大会)講評員
・千葉県高等学校課題研究発表会 審査委員長
・文科省私学助成設備審査委員
　文科省特別研究員審査委員
　文科省科学研究費第一次審査委員
・HPCI共用計算機資源（京コンピュータ）利用研究課題選定委員
・物性研共同利用スーパーコンピュータ課題審査委員
・Jpn. J. Appl. Phys. 編集者, eJ. Surface Science Nanotech. 編集者 他
・応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジー研究会, プログラム＆実行委員
・2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015) プログラム委員
　2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) プログラム委員
・2015 Int. Workshop on Dielectric Thin Film (2015 IWDTF)プログラム副委員長, 編集委員長

　

（9）特許　(発明者名、発明の名称、出願日、出願番号、整理番号等)　

 なし

　　　

（9）その他　

・「君も物理チャレンジを！２０１５」講習会講師：千葉市科学館、2014/5〜6月