2014年度(平成26年度)

コース名  物理学コース

領域名   量子多体系物理学領域

教員名   中山 隆史

電子メール nakayamaphysics.s.chiba-u.ac.jp

      ※メール送信の際は、「理」を半角@に変更してください。

 

1)研究論文などのリスト(印刷中を含む)

T. Hiramatsu, T. Yamauchi, M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi, T. Nakayama, "First-principles evaluation of penetration energy of metal atom into Si substrate", Jpn. J. Appl. Phys. 53 (2014) 058006-1-3.

Y. Tomita, T. Nakayama, "Theory of metal-atom diffusion in organic systems ", in "Electronic processes in organic electronics: Bridging nanostructure, electronic states and device properties", eds. H. Ishii et al, Springer, 2014, pp.303-318.

M. Ishikawa, T. Nakayama, “First-principles study of doping properties in ZnSnAs2”, phys. stat. sol. c, (2015) in press.


2)卒業研究、大学院修士および博士論文修了指導人数

・卒業研究(理学士)4名    

・大学院修士     2名    

・博士論文修了    0名

 

3)国際会議出席と招待リスト

T. Nakayama, K.Kobinata, S.Sasaki, “Physics of Metal/Ge Interfaces: Fermi-level Unpinning and Interface Disorders”, Int. Uni. Material Research Society (IUMRS 2014), Fukuoka Japan, 2014/8/24-27. (invited talk)

T. Nakayama, Y.Masugata, K.Sato, “Quantum Process of Exciton Dissociation at Organic Semiconductor Interfaces”, Int. Conf. Superlattice, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN 2014), Savannah USA, 2014/8/3-8.

T. Nakayama, K.Kobinata, S.Sasaki, “Physics of Fermi-level Unpinning at Metal/Ge Interfaces”, ICSNN 2014, Savannah USA. 2014/8/3-8.

S. Sasaki, T.Hiramastu, K.Kobinata, T.Nakayama, “Defect distribution and MIGS at metal/Ge interfaces: first-principles study”, Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2014), Tsukuba Japan, 2014/9/8-11.

S. Tsukuda, T.Nakayama, “Theoretical study of current fluctuation in multi-contact molecular bridge systems”, SSDM 2014, Tsukuba Japan, 2014/9/8-11.

M. Ishikawa, T.Nakayama, “First-Principles Study of N, O, and F Molecule-Dot Doping in III-V and II-VI Semiconductors”, ICSNN 2014, Savannah USA, 2014/8/3-8.

H. Iizuka, T.Nakayama, “Quantum process of exciton dissociation at disordered organic solar-cell interfaces”, The 7th Int. Symp. Surface Science, Matsue Japan, 2014/11/2-6.


4)教育業績 (自己申告、テキストの作成など、授業の工夫など)

   ・なし

 

5)学会、国、県などへの協力,地域・社会と連携した教育・研究活動など

   ・佐倉高等学校 SSH運営指導委員会委員長

   ・文科省私学助成設備審査委員

       文科省特別研究員審査委員

       文科省科学研究費第一次審査委員

     ・ HPCI運営指導委員会委員長

   ・物性研共同利用スーパーコンピュータ課題審査委員

     ・ Jpn. J. Appl. Phys. Editor, eJ. Surface Science Nanotech. Editor 他

   ・応用物理学会 ゲートスタック研究会, プログラム&実行委員

     ・ 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015) プログラム委員

     ・ 2015 Int. Workshop on Dielectric Thin Film (2015 IWDTF) プログラム副委員長, 編集責任者


6)特許(発明者名,発明の名称,出願日,出願番号,整理番号等)

   ・なし

 

7)その他 

・「君も物理チャレンジを!2013」講習会講師:千葉市科学館、2013/5/6,12,19.

   ・ 寒川義裕, 秋山亨, 伊藤智徳, 白石賢二, 中山隆史:日本結晶成長学会“第31回論文賞”受賞,

       ” Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach”2014/11/6.

   ・ 桧山正晃(M2):第20回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―, 服部賞受賞, 2015/1/31.