2013年度(平成25年度)

コース名  物理学コース

領域名   量子多体系物理学領域

教員名   中山 隆史

電子メール nakayamaphysics.s.chiba-u.ac.jp

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1)研究論文などのリスト(印刷中を含む)

K. Kobinata and T. Nakayama, "First-Principles Study of Schottky Barrier Behavior at Fe3Si/Ge(111) Interfaces", Jpn. J. Appl. Phys., (2014) in press.

T. Park, Y. Tomita, and T. Nakayama, "First-principles study of Pt-film stability on doped graphene sheets", Surf. Sci. 621 (2014) 7-15.

M. Y. Yang, K. Kamiya, T. Yamauchi, T. Nakayama, and K. Shiraishi, "Energetics and electron states of Au/Ag incorporated into crystalline/amorphous silicon", J. Appl. Phys. 114 (2013) 063701-1-7.

Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, and T. Nakayama, "Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach", Materials 2013, 6 (2013) 3309-3361.

M. Ishikawa and T. Nakayama, "First-principles study of oxygen-doping states in II-VI semiconductors", phys. stat. sol. C10 (2013) 1385-1388.

M. Ishikawa and T. Nakayama, "First-principles theoretical study of optical properties of

   oxy-gen-doped II-VI semiconductors", phys. stat. sol., (2013) in press.

Y. Tomita and T. Nakayama, “Theory of metal-atom diffusion in organic systems ”, in Electronic processes in organic electronics, eds. N. Ueno et al., Springer, 2014, in press.

 

2)卒業研究、大学院修士および博士論文修了指導人数

・卒業研究(理学士)4名    

・大学院修士     3名    

・博士論文修了    2名

 

3)国際会議出席と招待リスト

T. Nakayama, “Physics of Interface Segregation; What Determine Schottky Barrier at Metal/Semiconductor Interfaces ?”, 2013 JSAP-MRS (Japan-USA) Joint Symposia, Ktoto Japan, 2013/9/16-20. (invited talk)

K. Sato and T. Nakayama, “Quantum Processes of Exciton Dissociation at Organic Semiconductor Interfaces”, Int.Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2013), Fukuoka Japan, 2013/9/24-27.

T. Nakayama and K. Sato, “Quantum Processes of Exciton Dissociation at Semiconductor Heterointerfaces”, Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013), Kauai U.S.A., 2013/12/8-13.

Y. Tomita, T. Park, and T. Nakayama, “Enhanced stability of Pt monolayer films on doped graphene sheets”, Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013), Kauai U.S.A., 2013/12/8-13.

M. Ishikawa and T. Nakayama, “First-principles study of oxygen-doping states in II-VI semiconductors”, 18th Int. Conf. on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON), Matsue Japan, 2013/7/22-26.

 

4)教育業績 (自己申告、テキストの作成など、授業の工夫など)

   ・なし

 

5)学会、国、県などへの協力,地域・社会と連携した教育・研究活動など

   ・佐倉高等学校 SSH運営指導委員会委員長

Jpn. J. Appl. Phys. Editor, eJ. Surface Science Nanotech. Editor

   ・応用物理学会 ゲートスタック研究会, プログラム&実行委員

   ・2014 International Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) プログラム委員

   ・電子情報学会・知識データベース「知識の森」半導体分野,編集幹事

 

6)特許(発明者名,発明の名称,出願日,出願番号,整理番号等)

   ・なし

 

7)その他 

・「君も物理チャレンジを!2013」講習会講師:千葉市科学館、2013/5/6,12,19.