2011年度（平成23年度）

コース名　　物理学コース

領域名　　　量子多体系物理学領域

教員名　　　中山　隆史

電子メール　nakayama理physics.s.chiba-u.ac.jp

　　　　　　※メール送信の際は、「理」を半角@に変更してください。

（1）研究論文などのリスト（印刷中を含む）

　　　・M. Ishikawa, T. Nakayama, "N-doping induced band-gap reduction in III-V semiconductors: First-principles calculations", Phys. Status Solidi C 8 (2011) 352-355.

　　　・T. Nakayama, “Optical Response Spectra of Surfaces and Interfaces”, J. Vac. Soc. Jpn., 54,  (2011) 529-536.

・T. Nakayama, K. Kobinata, "Physics of Schottky-barrier change by segregation and structural disorder at metal/Si interfaces:  First-principles study", Thin Solid Films, 520 (2012) 3374-3378.

（2）卒業研究、大学院修士および博士論文修了指導人数

卒業研究（理学士）３名　　　　大学院修士 ０名　　　　博士論文修了 ０名

　　　

小日向恭祐(D1): 第4回日経テクノルネサス・ジャパンThreeBond最優秀賞、「ティアドロップ型皮膚粘着剤」(2012.1.31)

（3）国際会議出席と招待リスト

　　<発表国際会議名>　　開催国　　年月日　　論文名

　　　・M. Ishikawa, T. Nakayama, “First-principles study of nitrogen/oxygen-pair states in III-V semiconductors”, 15th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications（ISPSA-15）, JeJu Korea, 2011/7/5-8.

・K. Kobinata, T. Nakayama, "Schottky-barrier change by structural disorders at metal/Si interfaces: First-principles study ", Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Osaka Japan, 2011/9/8-10.

・T. Nakayama, H. Iizuka, G. Anagama, Y. Tomita, "How and why loop currents are generated in molecular bridge systems: density-matrix calculation of time evolution", ISANN 2011 (Int. Symposium on Advanced Nanostructures and Nano-Devices), Maui USA, 2011/12/4-9.

・Y. Tomita, T. Nakayama, “First-principles study of metal-atom diffusion in graphene and organic solids: intrinsic difference from inorganic systems” ISANN 2011 (Int. Symposium on Advanced Nanostructures and Nano-Devices), Maui USA, 2011/12/4-9.

・T. Park, T. Nakayama, “Enhanced Stability of Catalytic Pt Ultrathin Films on Doped Graphene Sheets: First-principles Study", 6th International Symposium on Surface Science (ISSS-6), Tokyo Japan, 2011/12/14.

・H.Iizuka,T.Nakayama,G.Anagama,“How and Why Loop Currents Are Generated in Molecu- lar Bridge Systems:Density-Matrix Calculation of Time Evolution”, ISSS-6, Tokyo 2011/12.

・Y. Tomita, T. Nakayama, “How metal atoms diffuse in organic semiconductors: first-principles study” 6th International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE6), Sendai Japan, 2011/3.

<招待講演>

・T.　Nakayama, K.　Kobinata, "Physics of Schottky-barrier change by segregation and structural disorder at metal/Si interfaces", ICSI7 2011 (7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures, Leuven Belgium, 2011/8/28-9/1.

・中山隆史, “理論シミュレーションによる物性予測 −先端デバイス材料を例に−”, 文部科学省平成23年度私立大学戦略的研究基盤形成支援事業『次世代LSIに向けた新機能シリコン系ナノ電子・光・スピンデバイスの創出』第２回シンポジウム, 東京都市大学, 2011/6/30.

・中山隆史, “金属シリサイドの物理：安定性とショットキーバリア”, 物性研短期研究会「計算物性物理学の進展」, 2012/2/21-22.

（4）教育業績　（自己申告、テキストの作成など、授業の工夫など）

　　　　先進科学センター長(2011.4—2013.3)

（5）学会、国、県などへの協力，地域・社会と連携した教育・研究活動など

　　・文科省私学助成設備審査委員

文科省特別研究員審査委員

文科省海外研究員審査委員

文科省科学研究費第一次審査委員

・物性研共同利用スーパーコンピュータ課題審査委員

・J.Surface ScienceNanotech. Editorial board 他

　　・応用物理学会 ゲートスタック研究会, プログラム＆実行委員

　　・2012 International Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) プログラム委員

　　・電子情報学会・知識データベース「知識の森」半導体分野，編集幹事

（6）特許（発明者名，発明の名称，出願日，出願番号，整理番号等）

　　　なし

（7）その他　

　　　・科学新聞、2011年1月1日、「ナノデバイス向け新電極形成法」（物材機構、他大学、JSTとの共同研究）

　　　・日刊工業新聞、2010年12月9日、「シリコンに不純物不要」（物材機構等との共同研究）