コース名 物理学コース
領域名 量子多体系物理学領域
教員名 中山 隆史
電子メール nakayama理physics.s.chiba-u.ac.jp
（1）研究論文など
<原論文(refereed)>
1. Y. Tomita, T. Nakayama, "Metal-Atom Diffusion in Organic Solids: First-Principles Study of Graphene and Polyacetylene Systems", Appl. Phys. Express, 3 (2010) 091601-1-3.
2. Y. Ono, K. Kusakabe, T. Nakayama, "Van der Waals Interactions for Isolated Systems Calculated Using Density Functional Theory within Plasmon-Pole Approximation", J. Phys. Soc. Jpn., 79 (2010) 074701-1-5.
3. T. Nakayama, Y. Maruta, K. Kobinara, "Chemical Trend of Schottky-Barrier Change by Segregation Layers at Metal/Si Interfaces: First-Principles Study", ECS Trans, Vol.33, No.6, pp.913-919 (2010).
<著書>
1. T. Nakayama, Y. Kangawa, K. Shiraishi, "Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces", in "Comprehensive Semiconductor Science and Technology", Eds. Mahajan, Kamimura, and Bhattacharya, Elsevier B.V., Amsterdam (2011) Vol.I pp.113-174 (62pages).
（2）特別研究などの指導実績：卒業研究（学士）、大学院修士および博士学位取得人数
卒業研究（理学士）３名 大学院修士 ２名 博士学位取得 １名
・富田陽子： (1) Lindau Nobel Prize Meeting(ドイツ)採択派遣,日本学術振興会 2010年6月、
(2)千葉大学学長賞、理学研究科長賞、 2011年3月。
・町田義明： ゲートスタック研究会安田賞受賞、2011年1月。
（3） 国際会議出席と招待リスト
<発表国際会議名> 開催国 年月日 論文名
1. T. Nakayama, S. Sotome, S. Shinji, “Stability, Doping, and Schottky Barrier of Polymorphic Silicides: First-principles Study”, ISTESNE International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics, T.I.Tech. Tokyo, 2010/06/3-5.
2. T. Nakayama et al., “Theory of Workfunction Control of Silicides by Doping for Future Si-Nano-Devices Based on Fundamental Physics of Why Silicides Exist in Nature”, 2010 IEDM (2010 IEEE International Electron Devices Meeting), San Francisco USA, 2010/12/6-8.
3. T. Nakayama et al., "Doping properties of metal silicides:first-principles study on solubility and Schottky barrier", "Nitrogen-induced optical absorption spectra of InP and GaP: direct vs. indirect band-gap systems", "Electronic structures of metal clusters on graphene sheets: first-principles calculations", "Metal-atom diffusion in organic semiconductors: graphene and oligoacene systems", ICPS 2010 (30th International Conference on the Physics of Semiconductors), Seoul, Korea, 2010/07/25-30.
4. T. Nakayama et al., "Segregation-induced Schottky-barrier change at metal/Si interfaces: First-principles study on chemical trend", "Photo-absorption spectra of nitrogen-doped InP and GaP: Comparison of direct and indirect band-gap systems", ICSNN-2010 (The International Conference on Superlattices, Nano- structures and Nanodevices), Beijing China, 2010/07/18-23.
5. Y. Tomita, T. Nakayama, “How metal atoms diffuse in organic semiconductors: first-principles study”, 6th International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics, Sendai Japan, 2011/03.
その他共同研究で数件
<招待講演>
1. T. Nakayama, “Physics of Metal Silicides: Stability, Stoichiometry, and Schottky Barrier Control”, ICSICT 2010 (International Conference on Solid-State and integrated Circuit Technology）, Shanghai China, 2010/11/1-4.
2. T. Nakayama, “Chemical Trend of Schottky-Barrier Change by Segregation Layers at Metal/Si Interfaces: First-Principles Study”, 218th ECS Meeting (Electro Chemical Society), Las Vegas USA, 2010/10/10-15.
3. 中山隆史、他11名、「ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調：シリサイドの物理に基づく理論」、Si テクノロジー研究会（電子情報通信学会、応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 共催）、東京、2011/01/31.
4. 中山隆史、「ナノ界面科学の課題」、応用物理学会 シンポジウム、長崎大、2010/09/16.
5. 中山隆史、「金属/絶縁体界面の物理 −電子準位はどのように整列するのか−」、触媒学会主催 第３回新電極触媒シンポジウム、伊東、静岡、2010/09/09.
6. 中山隆史、「物理学者が見通す未来」、未来研究会フォーラム(同志社大学ITEC、ASTEM,未来研究会主催)、同志社大 京都、2010/04/04.
その他共同研究で招待講演数件
（４）教育業績
先進科学センター副センター長(2009.4—2011.3)
（５）学会、国、県などへの協力，地域・社会と連携した教育・研究活動など
文科省私学助成設備審査委員
文科省特別研究員審査委員
文科省海外研究員審査委員
文科省科学研究費第一次審査委員
J.Surface ScienceNanotech. Editorial board 他
Int. Symp. Technol. Evol. of Si Nanoelectronics, プログラム＆論文委員
応用物理学会 ゲートスタック研究会, プログラム＆実行委員
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) プログラム委員
(６) 特許（発明者名，発明の名称，出願日，出願番号，整理番号等）
なし
(７) その他
なし