コース名  物理学コース

領域名   量子多体系物理学

教員名   中山隆史

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1)研究論文など

<原論文(refereed)>

1. First-principles Study of Schottky-Barrier Behavior at Metal/InN Interfaces, Y.Takei, T.Nakayama, Jpn. J. Appl. Phys., 48, 081001-1-5 (2009).

2. First-principles study on Nitrogen-induced band-gap reduction in III-V semiconductors, M. Ishikawa, T. Nakayama, Physics Procedia, 3, 1363-1366 (2010).

<著書>

1. Role of computational science in Si nanotechnologies and devices, K. Shiraiashi and T. Nakayama, in "The Oxforg Handbook of Nanoscience and Technology", Eds. Narlikar and Fu, Oxford University Press (2010), Vol.III, pp.1-46.

<表彰>

1. 29回表面科学講演大会(東京、10) 講演奨励賞受賞、富田陽子、中山隆史、「有機固体中における金属原子の拡散の理論−ペンタセン系分子の場合−」

 

2)特別研究などの指導実績:卒業研究(学士)、大学院修士および博士学位取得人数

卒業研究(理学士) 5名    大学院修士 2名    論文博士 1名

 

3) 国際会議出席と招待リスト  

  <発表国際会議名>  開催国  年月日  論文名  

1. 15th International Symposium on Intercalation Compounds (ISIC15), Beijing China, May 10-14 2009, “Adsorption and Diffusion of Metal Atoms in/on Graphene Sheets; First-principles Study” & “Ionization and Hole-transport in Bio-amino-acid Protein using Amino-acid/Semiconductor Junctions”.

2. 16th Biannual Conference of Insulating Films on Semiconductors 2009 (INFOS 2009), Cambridge England, June 29-July 1, “Stability and Schottky barrier of silicides: First-principles study”.

3. 2009 MRS Fall Meeting, Boston USA. Nov. 30-Dec. 4, “Physics of polymorphic Silicide Interfaces; First-principles Study of Stability, Doping, and Schottky Barrier” & “Universal Behavior of Metal-atom Diffusions in Organic Pentacene and Graphene Systems; First-principles Study”.

4. 5th International Workshop on Electronic Structure and Processes at Molecular-Based Interfaces, Chiba Japan, Jan.26-28 2010, “Metal atom diffusion in organic solids; first-principles study” & “First-principles study of metal-cluster adsorption on graphene/graphite sheets”.

その他共同研究で約3件

<招待講演>

1. Photonics Integration-Core Electronics Workshop, Cambridge England, July 3, “Transient current behavior at nano-contact nano-scale systems”.

2. 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Tokushima Japan, August 9-14, “Physics of Schottky Barrier at Metal/High-k-oxide Interfaces”.

3. 日本学術振興会154及び162委員会合同研究会(半導体界面制御技術), 田町 東京, 1026 2009, “Electronic structures of defects and interfaces in InN films”.

4. Int. Workshop on Organic Elctronics: Electronic States, Charge Transport and Devices, Chiba Japan, Nov.5 2009, “Metal atom diffusion in organic solids; first-principles study”, Yoko Tomita, Takashi Nakayama.

5. 10回誘電薄膜ワークショップ(NWDTF-10)、中山隆史、シリサイドの安定性とショットキーバリアの第一原理計算”, 仙台, 2010/01/10.

その他共同研究で招待講演約2件

 

(4)教育業績(自己申告、テキストの作成など、授業の工夫など)

文科省特色GP「パーソナルデスクラボによる実験教育の展開」代表

(Int. Conf. Physics Education講演2件, プノンペン大学連携など)

先進科学センター副センター長(2009.4--)

 

(5)学会、国、県などへの協力,地域・社会と連携した教育・研究活動など 

     文科省私学助成設備審査委員

文科省特別研究員審査委員

文科省海外研究員審査委員

文科省科学研究費第一次審査委員

     J.Surface ScienceNanotech. Editorial board

          Int. Symp. Technol. Evol. of Si Nanoelectronics, プログラム&論文委員

 

() 特許(発明者名,発明の名称,出願日,出願番号,整理番号等)

     なし

() その他  

     なし