学科名　　物理学科　　　講座名　　基礎物理学講座

教員名　　中山隆史

電子メール　nakayama@physics.s.chiba-u.ac.jp　

 

（1）  研究論文など

原論文

1. Charge Injection from Si Substrate into Amino Acids, M. Oda, T. Nakayama, Jpn. J. Appl. Phys., 46, 8939-8942 (2006)

2. Physics of Metal/High-k Interfaces, T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, and K. Yamada, ECS transactions, 3, 129-140 (2006)

3. Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces, T. Nakayama, S. Itaya, D. Murayama, J. Phys. Conf. Ser., 38, 216-219 (2006).

4. Quantum electron transport in kagome-lattice-chain systems with electric fields, H. Ishii, T. Nakayama, Phys. Rev. B, 73, 235311-1-11 (2006)

5. Thermal annihilation process of stacking-fault tetrahedron defect in Si-film epitaxy, R. Kobayashi, T. Nakayama, Thin Solid Films, 508, 29-32 (2006)

6. Density functional calculation of work function using charged slab systems, S. Kajita, T. Nakayama, J. Yamauchi, J. Phys. Conf. Ser., 29, 120-123 (2006).

 

解説

1.「金属／絶縁体界面の物理：ショットキーバリアと原子混晶化」, 中山隆史, 白石賢二, 表面科学, 28巻, p.28−33 (2007).

 

 

 

 

（2）           特別研究などの指導実績（Ｈ１8年度）：

卒業研究（学士）  　　　3名

大学院修士学位取得　 2名

博士学位取得        1名

　　　　

 

（3）　国際会議出席と招待リスト　　

 

国際会議名　開催国　　年月日　　　論文名　　

１. 12th Advanced Heterostructure Workshop 2006, Hawai USA, Dec. 2006, “Relaxation processes of transient currents at nano-contact interfaces; effects of electrode”

2. Europe Conf. Surface Science, Paris France, Sep. 2006, “A density functional calculation study of a water-molecule dissociation at oxygen vacancy site and hydrogen atom diffusion on TiO2(110)”

3. 28th Int. Conf. Physics Semiconductors, Vienna Austria, July 2006, “Motive Forces Of Atom Intermixing At Metal/Semiconductor Interfaces”

4. Int. Conf. Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices 2006, Istanbul Turkey, July 2006, “Band offset, ionization, and stability of bio-amino acids at amino-acid/semiconductor interfaces”.

その他８件

 

 

招待講演

1. 4th Int. Symp. on High Dielectric Constant Gate Stacks, Cancun Mexico, Oct. 2006, “Physics of Metal/High-k Interfaces”.

2. Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Bonassola Italy, Sep. 2006, “Defect Formation in Si and ZnSe/GaAs Epitaxy”

3. SEMI FORUM 2006, Osaka Japan, June 2006, “Design principles of effective work functions for metal gates”

4. 応用物理学会（秋期）シンポジウム講演, 立命館大, ８月 2006, 「金属／絶縁体界面の物理 −構造と電子物性−」

その他共同研究で約５件招待講演

 

（４）      教育業績　　

　　　　　普遍教育委員会運営委員、物理学集団主任

（５）　　学会、国、県などへの協力など　

科学研究費第一次審査委員

　　　　　JST−CRESTプロジェクト審査委員

　　　　　文科省私学助成設備審査委員

          Surface Science他多数雑誌の編集員

（6）特許　　

　　　　なし

 

（７）その他