学科名　　物理学科　　　講座名　　基礎物理学講座

教員名　　中山隆史

電子メール　nakayama[at]physics.s.chiba-u.ac.jp

（1）  研究論文など

原論文

1. First-principles calculation of electronic structures of stacking-fault tetrahedra in epitaxialized Si films, R. Kobayashi, T. Nakayama, J. Crystal Growth, in press (2005).

2. Electronic structures of natural quantum-dot system; Si stacking-fault tetrahedron, T. Nakayama, R. Kobayashi, phys. stat. sol. (c) in press (2005).

3. Control of amino-acid electronic structures on semiconductor surfaces, M. Oda, T. Nakayama, Appl. Surf. Science, in press (2005).

4. Theoretical study on generation and atomic structures of stacking-fault tetrahedra in Si film growth, R. Kobayashi, T. Nakayama, Thin Solid Films, 464/465, 90-94 (2004).

5. Flat-band exciton in two-dimensional Kagome quantum wire systems, H. Ishii, T. Nakayama, J. Inoue, Phys. Rev. B 69, 085325 1-7 (2004).

6. First-principles Study on Optical Properties of CaGa2S4 M. Ishikawa, T. Nakayama, phys.stat.sol.(c) 1, 823-826 (2004).

著書

1. 「表面科学の基礎と応用」第１編４章４節 界面の電子状態，日本表面科学会編，エヌ・ティー・エス社，pp.97～113(2004).

（2）特別研究などの指導実績：卒業研究（学士）、大学院修士、博士学位取得人数

　　　　卒業研究(理学士) 3　　大学院 修士 1　　　博士論文 1

（3） 国際会議出席と招待リスト

国際会議名　開催国　　年月日　　　論文名　　

1. 11th Advanced Heterostructure Workshop, USA, December 5-10 2004, Quantum electron transport in flat-band Kagome-lattice chains

2. Int. Conf. on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices 2004, Mexico, July 19-23 2004, Ultrathin metal Layers to Convert Surface polarity of Nitride Semiconductors etc.

3. 27th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, USA, July 26-30 2004, Chirality and electronic/optical properties of screw-vacancy In2Se3

（4）　教育業績　　

　　　　　　特になし

(5) 学会、国、県などへの協力など

　　　　　Surface Science and Nanotechnology,　Editorial Board　(2003年より)

　　　　科学研究費委員会審査委員 (2004—2005年度)

　　　　JST（CREST,さきがけ）審査委員 (2004年度)

(6) 特許

        なし

(７)その他　

　         特になし